كلية المنلسة الكهربائية والإلكتدية
قر منتلسة الفعكريلافكة
3 بليون ترانزستور وعلى اليسار لوح ال7 178 ويحوي مات الشرائح السيليكونية قبل فصلها الشكل10 يين الشريحة السيليكونية
ولوح ال78187؟ للمعالح 1177ا1تة:1 11181 والذي يملك 4-2018 ويحوي على 2046 بليون ترانزستور
اللشكل 10 الشريحة السيليكونية للمعالج ححسسحتصف] 1ء:د1 رباعى النوق وبنخوي على 3046 بليون تإنزستور
تطورت تقنيات صناعة أنصاف الواقل بشكل كير خلال العفود افلاثة الماضية» وأصبحت تعتمد على تقنية ال1/105© التي أمكنت من
أن تصبح الرانزستورات أصغر حجماً وبالتالي يمكن للدارات الحكاملة أن تحوي عدد تإنزستورات أكبر الدارات الخكاملة الأولى كانت
أن تقنية ال1/105 تم احتراعها قبل الرانزستولات الثنائية» إلا أنه كان في البداية من الصعب جداً تصنيعها نفلاً لمشكلة طبقة الأكسيد في
السبعينيات ثم حل هذه المشكلة» وتم تطوير تقنية ال211/105 في ذاك الوقت تطلب استخدام تقنية 105 عدد أقل من طبقات
ال1/101 (أفلام تصنيع الطبقات على مستوى السليكون والأكسيد) وبالثالي كثافة أكبر واستهلاك طاقة أقل وسعر أرحص مقازةً مع
الدارات المتكاملة التي تعمد تقنية الصنيع 5[1
مع بدايات المانينيات ثم استبدال بوايات الرانزستورات المصنعة من الألمنيوم ببوابات ال0:7 20181116 والتي أدت إلى تحسين كبير في تقنية