ترانزبستور تأثير المجال 52611-268660) 7 :
هو عنصر كهربائي يفضل استعماله كمفتاح أو كمكبر للإشارات الصغيرة
أنواعه : يشكل ترانزستور "11]" مجموعتين:
كه ذو الطبقة الحاجزة (001-621)
كه ذو الأكسيد المعدذي (0005721
كه موجب القنال ( © )
سالب القنال ( لا )
ترانزيستور تاثير المجال
ذوالطبقة الحاجزة لوالطبقة المعدنية ‏ الأكوسيد ‏ نصف موصل
قثال - يح ققال -م 0 0 *
آنواع خاصة
تخطيط : محمد زكي / ألمانيا
ذو بوابتين * 510105-857
البنية الداخلية وطريقة العمل:
بعكس التركيب الداخلي للترانزيستور "ثنائتي القطبية" والذي يتكون من طبقتين للشجنات (إلكترونات وتنقوب) أو
(سالب وموجب)
يتكون ترانزبستور ‎"٠‏ من طبقة واحدة إما )(م أو (0) ؛ ؛ ومن هنا ترجع تسميته بأحادي القطبية
تتكون بنية ترانزبستور "1ح" من مساحة حدق موصلة بشكل القضبب وهي من مادة السليكون ‎٠‏ وعلى يمين
وبيسار القضيب تتكون مناطق حاجزة ؛ وبين على واسغل هذا القضيب تتكون "قنال" الاتصال (مادة لاا موصلة دون
طبقة حاجزة) وتشكل هذه القنادل المصرف (01887) و المنبع (500226)
فإذا تم توصيل جهد بمساحة بلورية موا من مادة السليكون ل١‏ أي المصرف (218070) و المنبع (5010166):
فيسري بها تيار كهرباتي (110) عبر قنادل في هذه المساحة ؛ وذلك بحكم الجهد والمقاومة في هذه المساحة
وفي حالة توصيل جهد سلبي بين البوابة (6818) والمنبع (500168): فتكون قطبية طبقتي 01 باتجاه حاجز
وتتكون بذلك داخل الطبقتين "مناطق حاجزة" بحيث تمنع مرور التيار بهذا الاتجاه وتتوسع "المناطق الحاجزة"
بينما يضيق قطر ممر التيار في القنال